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반도체 패키징에서의 글라스 기판의 전망과 필요성 반도체 패키징에서의 글라스 기판의 전망과 필요성에 대해 살펴보면, 반도체 기술의 발전에 따라 더 높은 성능과 미세 공정의 구현이 필요해지면서, 기존의 실리콘 또는 유기 기판 대신 글라스 기판이 주목 받고 있습니다.  고밀도 집적 가능성글라스 기판은 기존의 재료들에 비해 우수한 평탄도를 가지고, 정밀 가공이 가능함에 따라 더 높은 집적도를 제공할 수 있습니다. 이는 미세 공정을 통해 칩 간의 연결성을 더욱 촘촘히 구현하고 데이터 전송 속도와 신호 무결성을 향상시키는 데 기여합니다. 고집적 반도체 패키징이 필수적인 AI, 고성능 컴퓨팅(HPC) 및 5G 분야에서 이점이 큽니다. 전기적 특성 개선글라스 기판은 저유전율 및 저손실 특성을 제공하기 때문에 전력 소모를 줄이고 데이터 전송 시의 신호 손실을 최소화할.. 2024. 11. 19.
센조쿠이케 산보 먹을 것 달라고 입 벌리는 잉어들오리들과 잉어들황금색 잉어 2024. 11. 19.
엔비디아의 쿠다(CUDA) 생태계 AI 반도체의 하드웨어와 소프트웨어가 조화를 이루는 방식은 AI 시스템의 성능을 극대화하는 중요한 요인입니다. 엔비디아의 AI 반도체가 업계에서 독보적인 위치를 차지하게 된 배경에는 연산기, 메모리 등 하드웨어뿐만 아니라 이를 뒷받침하는 소프트웨어 생태계가 있습니다. 그 중에서도 핵심은 쿠다 (CUDA)입니다. 이는 엔비디아가 제공하는 GPU 프로그래밍 도구로, AI 소프트웨어 개발자들이 GPU의 연산 능력을 최대한 활용해 프로그램을 개발할 수 있도록 돕는 플랫폼입니다. 엔비디아의 쿠다 (CUDA) 생태계와 AI 반도체의 힘쿠다는 AI 소프트웨어 개발에 있어 단순한 도구 이상의 의미를 가집니다. 많은 AI 소프트웨어가 쿠다 위에서 작동하기 때문에, 이는 일종의 생태계를 형성하여 엔비디아 GPU와 밀접하게.. 2024. 11. 18.
엔비디아 GPU의 세대별 비교 NVIDIA의 V100, A100, H100 GPU는 각각 NVIDIA의 다양한 아키텍처와 세대에 걸친 AI와 고성능 컴퓨팅(HPC) 워크로드를 위한 고성능 그래픽 처리 장치입니다. 각 GPU는 특정 기술적 진보를 보여주며, 다양한 관점에서 비교할 때 주요 차이점을 보입니다. 다음은 성능, 전력 소비, 주요 기술 변화 및 사용 사례를 기반으로 한 비교입니다: 1. 아키텍처 및 성능 비교 V100 (Volta 아키텍처): •출시 시점: 2017년 •연산 성능: FP16 정밀도의 경우 125 TFLOPS. •메모리: 최대 32GB의 HBM2 메모리, 메모리 대역폭은 900GB/s. •주요 특징: V100은 Tensor 코어를 최초로 도입한 GPU로, 딥러닝 연산을 크게 가속화했습니다. AI 훈련 및 추론에서.. 2024. 11. 17.
칩렛(chiplet)의 가능성과 필요한 기술들 칩렛을 통한 접근법은 여러 가지 장점을 제공합니다. 첫 번째로, KGD (Known Good Dies)의 조합이 가능하다는 점입니다. 칩렛은 개별 기능 칩들을 결합하기 때문에, KGD는 조립을 위해 미리 분류될 수 있습니다. 두 번째로, 각 칩은 반도체 생산 중 최적의 공정 노드를 사용하여 제조될 수 있습니다. 칩렛의 제조 과정은 가장 진보된 기능 블록에 의해 제한되지 않으며, 각 칩렛에는 서로 다른 공정이 적용될 수 있습니다. 세 번째로, 각 기능 칩의 풋프린트(footprint)는 모놀리식 칩 설계보다 더 유연하게 조정될 수 있습니다. 이러한 장점을 바탕으로, 하이브리드 본딩 인터커넥션 기술은 반도체 기업들이 다양한 기능, 기술 노드 및 크기를 아우르는 이종 집적 (HI, Heterogeneous I.. 2024. 11. 16.
고급 패키징 기술의 발전 전망 고급 패키징 기술의 발전과 반도체 시장 변화전자 기기의 소형화와 성능 향상을 촉진하는 중요한 동력으로 고급 패키징 기술이 주목받고 있습니다. 성능(Performance), 전력(Power), 면적-비용(Area-Cost), 출시 시간(Time-to-Market)이라는 PPACt들이 현대 패키징 기술의 핵심 초점이 되면서, 특히 3D 집적회로(3DIC) 기술에 대한 관심이 크게 증가하고 있습니다. ‘3D’라는 용어는 이제 전통적인 백엔드 패키지 공정을 넘어, 칩 내부에서의 이종 집적화까지 포괄하는 개념으로 확장되었습니다. 1. 전통적인 패키지 연결 기술패키지 내부 연결을 위한 다양한 방법론이 존재합니다. 대표적인 전통 방식으로는 무연 납 솔더 캡과 구리 필러를 사용하는 구리 마이크로 범프가 있습니다. 이 .. 2024. 11. 15.
Mass Reflow-Molded Underfill (MR-MUF) 공정 Mass Reflow-Molded Underfill (MR-MUF) 방식은 반도체 패키징 공정에서 사용되는 기술로, 여러 개의 반도체 칩을 효율적으로 연결하고 안정성을 강화하는 데 중요한 역할을 합니다. 이 공정은 특히 다층 적층을 필요로 하는 고대역폭 메모리(HBM)와 같은 고성능 메모리 칩 패키징에서 널리 사용됩니다.MR-MUF의 공정 절차:적층 및 납땜 준비:여러 개의 칩이 적층된 상태에서 각 칩은 TSV(Through Silicon Via)로 전기적 연결이 되어 있습니다. 이 상태에서 칩들은 기판 위에 정렬됩니다.각 칩 사이에는 언더필 공간을 남겨두며, 적층된 상태에서 리플로우 공정을 준비합니다.대형 리플로우 장비 사용:칩은 대형 리플로우 장비에 배치됩니다. 여기에서 고온을 가하여 각 칩을 동시에.. 2024. 11. 14.
열압착 비전도성 접착 필름(Thermally Conductive Non-Conductive Film, TC-NCF) 공정 열압착 비전도성 접착 필름(Thermally Conductive Non-Conductive Film, TC-NCF) 공정은 반도체 패키징에서 미세 접합을 위해 사용되는 접착 기술로, 특히 고집적 반도체와 고대역폭 메모리(HBM) 등의 적층 공정에 널리 활용됩니다. 이 공정은 반도체 칩과 칩을 수직으로 쌓아 연결할 때 사용되며, 열과 압력을 이용해 결합함으로써 신뢰성과 전기적 성능을 높이는 데 기여합니다.1. TC-NCF 공정의 개요비전도성 접착 필름(NCF)은 반도체 칩 사이의 결합층 역할을 하는 얇은 필름 형태의 소재입니다. NCF는 열을 가하면 반응해 점성이 낮아졌다가 접합 후 다시 경화하는 특성을 지닙니다.비전도성이라는 이름은 전류가 흐르지 않도록 설계된 필름이라는 점을 강조하며, 반도체 칩 간의 .. 2024. 11. 13.

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