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NAND 메모리 경쟁력의 핵심: 적층 단수(층수) 증가와 기술 혁신 NAND 플래시 메모리는 데이터 저장 기술의 중심에 있으며, 스마트폰, 데이터 센터, 자동차, IoT 등 다양한 응용 분야에서 필수적입니다. 이 시장에서 경쟁력을 확보하려면 제조 공정과 메모리 구조에서 지속적인 발전이 필요하며, 특히 적층 단수(층수)의 증가는 NAND 메모리의 경쟁력에 핵심적인 역할을 합니다. 아래는 NAND 메모리 경쟁력의 주요 포인트를 정리한 내용입니다.1. 단수 증가: 용량과 비용 효율성의 핵심NAND 플래시 메모리는 셀 층을 DRAM과 달리 캐퍼시터가 필요없기 때문에 수직으로 쌓는 3D 구조로 진화했습니다. 더 많은 층을 쌓으면 동일한 면적에서 더 높은 용량을 구현할 수 있어, 다음과 같은 장점이 있습니다:높은 용량: 단수가 증가하면 칩 하나의 데이터 저장 용량이 커집니다. 예를.. 2024. 11. 25.
침전 반응 (Precipitation Reaction)이란? 침전 반응 (Precipitation Reaction)은 두 개의 용액이 반응하여 불용성 고체(침전물, precipitate)가 생성되는 화학 반응입니다. 이 반응은 일반적으로 수용액 상태에서 발생하며, 생성된 침전물은 용매(대개 물)에서 용해되지 않고 가라앉거나 부유 상태로 남아 있습니다.1. 침전 반응의 반응식의 예침전 반응은 두 수용성 염이 이온 교환을 통해 불용성 화합물을 생성하는 이중 치환 반응의 한 형태입니다. 아래는 침전 반응의 주요 반응식의 예입니다.염화바륨과 황산나트륨의 반응BaCl₂(aq) + Na₂SO₄(aq) → BaSO₄(s) + 2NaCl(aq)질산은과 염화나트륨의 반응AgNO₃(aq) + NaCl(aq) → AgCl(s) + NaNO₃(aq)수산화 나트륨과 황산구리(II)의 반.. 2024. 11. 24.
산화물 반도체 (Oxide Semiconductor)의 특징과 전망 산화물 반도체 (Oxide Semiconductor)는 산화물 화합물의 전기적 특성을 이용하여 전류를 제어할 수 있는 반도체 물질입니다. 주로 산화물 기반의 화합물(예: 인듐-갈륨-아연 산화물, IGZO)이 사용되며, 전자 이동도가 높은 특성과 투명성으로 인해 다양한 전자 기기 및 디스플레이 기술에 활용되고 있습니다.1. 산화물 반도체의 특징높은 전자 이동도: IGZO와 같은 산화물 반도체는 비정질 실리콘(amorphous silicon)보다 전자 이동도가 높습니다. 이는 고속 스위칭과 고해상도 디스플레이 구현에 유리합니다.투명성: 산화물 반도체는 광학적으로 투명하며, 투명 디스플레이나 전자 장치에 적합합니다.저온 공정 가능성: 제조 과정에서 비교적 낮은 온도로 공정이 가능해 플렉서블 디스플레이나 플라스.. 2024. 11. 24.
메모리 셀에서의 리텐션 타임(retention time) DRAM(동적 랜덤 액세스 메모리, dynamic random access memory)의 리텐션 타임(retention time)은 메모리 셀에 저장된 데이터가 사라지지 않고 유지되는 시간의 길이를 의미합니다. DRAM 셀은 커패시터를 사용하여 데이터를 저장하는데, 이 커패시터는 시간이 지나면서 자연스럽게 방전되기 때문에 주기적인 리프레시(refresh)가 필요합니다. 리텐션 타임은 데이터가 안정적으로 유지되는 시간을 결정하며, DRAM의 성능에 중요한 영향을 미칩니다.DRAM 리텐션 타임의 특징:1. 리프레시 주기: DRAM의 리텐션 타임은 보통 수 밀리초(ms)에서 수십 밀리초까지 지속되며, 이 시간 동안 데이터는 유효합니다. 이후 리프레시가 이루어지지 않으면 데이터가 손실됩니다.2. 온도와 리텐션.. 2024. 11. 24.
TSMC의 3D 적층 반도체 기술의 새로운 표준 제시 TSMC의 3D 적층 SoIC (System on IC) 기술은 반도체 패키징의 새로운 전환점을 제공하며, 특히 고성능 컴퓨팅(HPC), 인공지능(AI), 차세대 소비자 응용 분야에서 중요한 역할을 할 전망입니다. TSMC의 기술 로드맵과 현재 동향을 기반으로 주요 내용을 정리하면 다음과 같습니다.1. SoIC 기술의 주요 특징하이브리드 웨이퍼 본딩: TSMC의 SoIC 기술은 하이브리드 웨이퍼 본딩을 사용하여 두 개의 고급 논리 칩을 초고밀도의 구리-구리 인터커넥션으로 직접 적층합니다. 이 기술은 연결 거리를 줄이고 전력 손실을 최소화하며 대역폭 밀도를 높입니다.SoIC 기술의 변형SoIC-X (비범프 방식): 초고성능 제품에 최적화된 설계로, 높은 인터커넥션 밀도를 제공. AMD의 3D V-캐시와 같.. 2024. 11. 24.
태양광 전지의 분류에 대해서 태양광 발전(Photovoltaic, PV)과 태양열 발전(Solar Thermal Energy)은 모두 태양의 에너지를 이용하지만, 에너지를 변환하는 방식과 사용 목적이 다릅니다. 태양광 발전은 태양의 빛을 직접적으로 전기로 변환하는 기술입니다. 태양광 패널에 사용되는 태양전지(photovoltaic cells)는 빛의 에너지를 전기 에너지로 변환하는 데 사용됩니다. 태양전지는 반도체 물질을 이용하여 빛에 의해 발생하는 전자의 흐름을 전기로 변환합니다. 태양광 전지는 다음과 같이 분류할 수 있습니다.1. 단결정 실리콘 태양광 전지 (Monocrystalline Silicon)특징: 이 전지는 하나의 단결정 실리콘 웨이퍼로 만들어져 있습니다. 단결정 실리콘은 고순도의 실리콘을 사용하여 제조되기 때문에 .. 2024. 11. 23.
4F square의 의미 4F²는 반도체 메모리에서 셀 면적(Cell Area)의 표준 단위를 설명하는 개념으로, 메모리 셀 하나가 차지하는 면적을 나타냅니다. 여기서, 4F²는 “4배의 최소 피치의 제곱”이라는 뜻으로, 는 반도체 공정에서 정의되는 최소 피치(minimum feature size)를 의미합니다. F는 반도체 설계에서 가장 작은 선폭 또는 간격을 나타내며, 리소그래피 기술로 정의됩니다.4F²의 세부 의미DRAM은 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성된 구조를 기본으로 하는데, 이를 최소한의 면적으로 배치하려면 각 셀이 4F² 면적을 차지하도록 설계됩니다.메모리 셀 면적 = 4 × F × F“F”는 트랜지스터, 커패시터, 혹은 금속 라인의 간격 또는 폭의 최소 단위를 뜻하며, 공정 기술의 미세화에 따라 줄어듭.. 2024. 11. 23.
솔리다임(Solidigm)의 전망 솔리다임(Solidigm)은 SK하이닉스가 2021년 12월 인텔의 NAND 및 SSD 사업부를 인수하면서 설립한 자회사로, 글로벌 NAND 플래시 메모리 솔루션을 제공하는 선도적인 기업입니다. 본사는 미국 캘리포니아주 산호세에 위치하며, 약 20개 지역에 사업장이 분포하고 있습니다. 솔리다임은 SK하이닉스의 기술력과 인텔의 메모리 혁신 역량을 결합하여 데이터 저장 장치와 관련된 기술을 강화하고, 메모리 생태계를 확장하는 데 주력하고 있습니다.솔리다임의 주요 제품군은 데이터센터, 소비자 및 클라이언트 애플리케이션에 적합한 고성능 SSD(NAND 기반 솔루션)로 구성되어 있습니다. 특히, QLC(쿼드 레벨 셀) 기술과 같은 첨단 기술을 활용하여 데이터 저장 용량을 극대화하고, 비용 효율성을 높이는 데 중점.. 2024. 11. 22.

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