전체 글244 핵융합 발전의 개요와 토카막(Tokamak)에 대해서 핵융합 발전은 태양이 에너지를 생성하는 원리를 지구에서 재현하여 청정하고 지속 가능한 에너지를 생산하려는 기술입니다. 핵융합은 가벼운 원자핵들이 매우 높은 온도와 압력에서 결합해 무거운 원자핵으로 변하며 막대한 에너지를 방출하는 과정입니다. 대표적인 예는 수소 동위원소인 중수소와 삼중수소가 결합하여 헬륨(He)을 생성하면서 에너지를 방출하는 반응입니다.핵융합 발전의 원리핵융합 반응 조건: 핵융합이 일어나려면 플라즈마 상태에서 핵들이 충분히 높은 속도로 움직여야 하며, 이를 위해 1억 ℃ 이상의 온도가 필요합니다. 또한, 플라즈마가 충분한 밀도와 유지 시간을 가져야 반응이 효율적으로 발생합니다. 이를 로슨 조건이라고 합니다.반응 메커니즘: 중수소와 삼중수소가 융합하여 헬륨과 고에너지 중성자가 생성됩니다. .. 2024. 11. 30. Chemical Amplification Resist (CAR)의 의미 Chemical Amplification Resist (CAR)는 포토리소그래피에서 사용되는 감광성 재료의 종류입니다. 작동 원리CAR의 작동은 빛에 의해 활성화되는 화학 반응을 증폭시켜 작은 빛의 노출량으로도 강한 패턴 형성을 가능하게 하는 데 기반합니다. 이 과정은 두 가지 주요 구성 요소를 포함합니다:감광 물질 (Photo Acid Generator, PAG): 빛을 흡수하여 산(Acid)을 생성하는 물질입니다.폴리머 (Polymer): PAG에 의해 생성된 산이 작용하여 용해도가 변하는 물질로, 노광 후 현상 단계에서 노광된 영역과 노광되지 않은 영역이 구분됩니다.화학적 증폭 메커니즘이 메커니즘은 노광 단계에서 발생한 작은 화학적 변화가 후속 공정에서 큰 효과를 내도록 설계되어 있습니다. 화학적 .. 2024. 11. 29. 산화물 반도체가 주로 n형 반도체로 존재하는 이유 산화물 반도체가 주로 n형 반도체로 존재하는 이유는 전자 구조와 결합 특성에서 기인합니다. 산화물 반도체는 대부분 금속 산화물로 구성되며, 이러한 물질은 주로 전자를 운반체로 사용하여 전기 전도성을 띱니다. 1. 전자 구조와 산소 공공 (Oxygen Vacancy)산화물 반도체는 금속 이온과 산소 이온으로 구성됩니다. 산소 이온의 일부가 구조에서 빠져나가는 경우(산소 공공 발생), 구조 내에 여분의 전자가 남아 n형 특성을 띠게 됩니다. 이러한 산소 공공은 전자가 자유롭게 움직일 수 있는 도핑 역할을 합니다.예를 들어, ZnO, In2O3, SnO2와 같은 전형적인 산화물 반도체에서 산소 공공이 자연스럽게 형성되며, 이를 통해 전자가 주요 캐리어로 작용합니다. 2. 금속 산화물의 고유 결합 특성산화물 .. 2024. 11. 29. 엔비디아 Blackwell 아키텍처의 특징 및 문제점 NVIDIA의 Blackwell 아키텍처는 최신의 GPU 기술로서 엔터프라이즈 컴퓨팅, AI, 데이터 센터와 같은 고성능 컴퓨팅 영역에서 강력한 성능을 제공합니다. 2024년 GTC에서 발표된 이 아키텍처는 이전 세대(Ada Lovelace) 대비 주요 기술적 도약을 이루었습니다. Blackwell 아키텍처의 주요 특징TSMC 4NP 공정 사용Blackwell GPU는 TSMC의 4NP 공정(5nm 기반 커스텀 공정)을 활용하여 208억 개의 트랜지스터를 B200 GPU(주요 모델) 칩에 집적했습니다. 이는 고밀도 트랜지스터 설계로 성능과 에너지 효율을 극대화합니다. 향상된 트랜스포머 엔진AI와 머신러닝 작업을 위해 설계된 새로운 트랜스포머 엔진은 이전 세대 대비 두 배 크기의 모델을 처리할 수 있으며,.. 2024. 11. 28. GPU 아키텍처란? GPU 아키텍처란 그래픽 처리 장치(GPU)의 하드웨어 및 소프트웨어 설계 원칙과 구조를 의미합니다. GPU의 성능, 효율성, 확장성, 지원 가능한 기술을 결정짓는 중요한 요소입니다.GPU 아키텍처의 주요 구성 요소코어 설계각 코어는 데이터 병렬 연산을 수행하며, 이 코어들의 구조와 연결 방식이 GPU의 아키텍처에 의해 정의됩니다.GPU는 병렬 처리 능력을 극대화하기 위해 수천 개의 작은 처리 코어를 포함합니다. 메모리 계층 구조최신 아키텍처는 HBM(고대역폭 메모리) 또는 GDDR 메모리를 통합하여 데이터 전송 속도를 높입니다.VRAM(그래픽 전용 메모리)와 캐시 메모리의 크기, 속도, 접근 방식이 아키텍처에 따라 다릅니다. 셰이더 엔진예: 엔비디아의 CUDA 코어, AMD의 RDNA 아키텍처의 스트림.. 2024. 11. 28. Cu Dishing이란? Cu Dishing는 반도체 제조 공정 중 구리(Cu) 배선 형성 과정에서 발생할 수 있는 현상으로, 화학 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 과정에서 구리 배선이 과도하게 연마되어 움푹 패이는 문제를 말합니다. 이 현상은 특히 낮은 평탄화 정도와 배선 구조에 영향을 미쳐 전기적 성능 저하와 신뢰성 문제를 유발할 수 있습니다. Cu Dishing의 주요 개념발생 원인:구리가 유전체보다 연마 저항이 낮아 과도하게 제거될 수 있습니다.CMP 공정 중 구리와 유전체(절연 물질)의 연마 속도 차이에서 비롯됩니다. 특징:연마 패드와 슬러리의 조합, 압력, 및 연마 시간에 의해 영향을 받음.주로 구리 배선이 넓은 패턴(large feature size)이나 밀집된 구조에서 .. 2024. 11. 28. 삼성전자의 주요 DRAM 제품군의 종류 및 특징 삼성전자의 주요 DRAM 제품군의 종류 및 특징은 다음과 같습니다. 1. DDR DRAM (Double Data Rate DRAM)주요 특징:DDR4: 현재 광범위하게 사용되며, 고성능 서버와 데이터 센터를 위한 효율적이고 안정적인 메모리 솔루션을 제공합니다.DDR5: 차세대 데이터 센터와 AI 워크로드를 위해 설계되었습니다.특징: 최대 1TB 모듈 지원, 최대 32Gb 용량의 칩 제공.장점: 전력 효율성 증가, 대역폭 및 데이터 전송 속도 개선.요구 사항:데이터 센터의 높은 처리량과 낮은 전력 소비.대규모 병렬 처리를 지원하는 고용량 모듈. 2. 모바일 DRAM (LPDDR: Low-Power DDR)주요 특징:LPDDR4X: 저전력 설계로 스마트폰, 태블릿과 같은 기기에 사용.LPDDR5 / LPDD.. 2024. 11. 28. 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)의 접합 메커니즘 하이브리드 본딩(Hybrid Bonding)은 첨단 반도체 패키징 기술로, 구리-구리(Cu-Cu)와 유전체(dielectric)의 접합을 동시에 구현하여 신호 전달 효율과 전력 손실을 크게 줄이는 역할을 합니다. 이 본딩 기술의 접합 메커니즘은 구리와 유전체 각각의 특성에 맞게 설계됩니다. 그래서, 본딩이 어렵기도 합니다.1. Cu-Cu 본딩 메커니즘Cu-Cu 본딩은 금속 간의 접합으로, 고온에서 구리 원자가 상호 확산하여 하나의 단일 구리 구조를 형성합니다. 이 과정은 금속 재료의 확산과 표면 화학적 활성화를 기반으로 합니다.주요 메커니즘표면 준비:구리 원자 노출로 인해 본딩이 가능한 활성 표면화 시킴.구리 표면의 산화층 제거 및 평탄화(chemical-mechanical polishing, CMP)... 2024. 11. 28. 이전 1 2 3 4 5 6 ··· 31 다음