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4F square의 의미 4F²는 반도체 메모리에서 셀 면적(Cell Area)의 표준 단위를 설명하는 개념으로, 메모리 셀 하나가 차지하는 면적을 나타냅니다. 여기서, 4F²는 “4배의 최소 피치의 제곱”이라는 뜻으로, 는 반도체 공정에서 정의되는 최소 피치(minimum feature size)를 의미합니다. F는 반도체 설계에서 가장 작은 선폭 또는 간격을 나타내며, 리소그래피 기술로 정의됩니다.4F²의 세부 의미DRAM은 1개의 트랜지스터와 1개의 커패시터로 구성된 구조를 기본으로 하는데, 이를 최소한의 면적으로 배치하려면 각 셀이 4F² 면적을 차지하도록 설계됩니다.메모리 셀 면적 = 4 × F × F“F”는 트랜지스터, 커패시터, 혹은 금속 라인의 간격 또는 폭의 최소 단위를 뜻하며, 공정 기술의 미세화에 따라 줄어듭.. 2024. 11. 23.
솔리다임(Solidigm)의 전망 솔리다임(Solidigm)은 SK하이닉스가 2021년 12월 인텔의 NAND 및 SSD 사업부를 인수하면서 설립한 자회사로, 글로벌 NAND 플래시 메모리 솔루션을 제공하는 선도적인 기업입니다. 본사는 미국 캘리포니아주 산호세에 위치하며, 약 20개 지역에 사업장이 분포하고 있습니다. 솔리다임은 SK하이닉스의 기술력과 인텔의 메모리 혁신 역량을 결합하여 데이터 저장 장치와 관련된 기술을 강화하고, 메모리 생태계를 확장하는 데 주력하고 있습니다.솔리다임의 주요 제품군은 데이터센터, 소비자 및 클라이언트 애플리케이션에 적합한 고성능 SSD(NAND 기반 솔루션)로 구성되어 있습니다. 특히, QLC(쿼드 레벨 셀) 기술과 같은 첨단 기술을 활용하여 데이터 저장 용량을 극대화하고, 비용 효율성을 높이는 데 중점.. 2024. 11. 22.
IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)란? IGZO는 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 산소(O)의 조합으로 이루어진 산화물 반도체로, 박막 트랜지스터(TFT)에 주로 사용됩니다. 특히 디스플레이와 같은 전자 기기에서 기존의 실리콘 기반 반도체를 대체할 차세대 기술로 주목받고 있습니다. 일본의 동경공업대학의 호소노 히데오 교수에 의해 처음 발표 되었습니다. 호소노 교수는 투명 산화물 반도체 분야를 개척한 인물입니다. 호소노 교수는 2004년에 IGZO의 우수한 전기적 특성과 투명성을 처음 발표하며, 이를 기반으로 차세대 디스플레이와 전자기기에 사용될 새로운 박막 트랜지스터 기술을 제안했습니다. 그는 재료 물리학 및 전자기기 응용 분야에서 투명 산화물 반도체가 실리콘 기반 기술을 대체할 가능성을 강조했습니다.주요 특징 및 장점높은 전자 이.. 2024. 11. 22.
일본제철 키미츠 / 후츠 연구센터 가는 길 연구교류회가 일본제철 연구센터에 있어서 가는 길입니다. 행정구역 상으로는 치바라 도쿄에서 멀지 않게 느껴지지만, 굉장히 멉니다. 치바역까지 가서, 키미츠 방면 전차로 갈아타고 갑니다. 키미츠에 고로와 공장이 있고, 후츠에 연구센터가 있습니다. 원래 오전부터 공장견학도 예정되어 있지만, 생략.주변에 목장이 많은 건지 역 안에 이런 것도 있습니다.너무 시골 느낌이 강합니다. 일본 제조업 회사 중에선 연봉이 많은 편이라고 들었는데, 주변 환경이 이래서, 교육이나 그런 걸 생각하면 좋아 보이지는 않습니다.회사 연락 버스 기다리는 곳, 자주 있지도 않더군요. 2024. 11. 22.
DRAM의 주요 응용 분야와 활용 사례 1. 고성능 컴퓨팅(HPC)적용 분야: 슈퍼컴퓨터, 데이터 센터 DRAM은 대규모 병렬 작업과 실시간 데이터 분석을 필요로 하는 고성능 컴퓨팅에서 중요한 역할을 합니다. 예를 들어, AI 연구 및 기상 시뮬레이션을 수행하는 슈퍼컴퓨터는 수백 기가바이트의 데이터를 DRAM에 저장하고 검색합니다. 이를 통해 데이터 처리가 극대화되고, 연산 속도가 크게 향상됩니다. 사용 DRAM 종류: DDR4, DDR5, HBM (High Bandwidth Memory) 등 2. 인공지능(AI) 및 머신러닝(ML)적용 분야: AI 모델 훈련 및 추론 시스템 AI 및 ML은 방대한 데이터 세트를 기반으로 신경망 연산을 수행합니다. DRAM은 대량의 데이터 전송을 가속화하여 AI 모델의 학습 속도와 효율성을 향상시키며, 추론 .. 2024. 11. 21.
멀티패터닝(Multi-Patterning) 기술의 현황과 전망, 필요성 멀티 패터닝 기술이란?멀티 패터닝은 반도체 제조 공정에서 고해상도 패턴을 만들기 위해 여러 차례의 패터닝 공정을 사용하는 기술입니다. 단일 노광 공정만으로는 미세한 패턴을 구현하기 어려울 때 사용되며, 회로의 선폭을 더욱 세밀하게 만들기 위해 리소그래피 공정을 여러 번 적용하는 방식입니다. 대표적으로 이중패터닝(Double Patterning), 삼중패터닝(Triple Patterning), 사중패터닝(Quadruple Patterning) 등이 있습니다. 이 기술은 10nm 및 7nm 노드 반도체 공정과 그 이후 세대에서 필요할 것으로 예상됩니다. 한 번의 리소그래피 노출만으로는 충분한 해상도를 제공하기 어려운 경우가 많아 추가적인 노출이나 에칭된 패턴의 측벽(스페이서)을 활용한 배치 패턴 생성이 필요.. 2024. 11. 20.
Die shrink와 shrink factor의 의미 Die shrink (때로는 optical shrink나 process shrink라고도 함)는 금속 산화물 반도체(MOS) 장치의 크기를 축소하는 과정을 의미합니다. 다이를 축소하는 것은 더 발전된 제작 공정을 사용하여 유사한 회로를 생성하는 작업으로, 일반적으로 리소그래픽 노드를 발전시키는 과정이 포함됩니다. 이로 인해 칩 회사는 프로세서의 주요 아키텍처 변경 없이 연구 및 개발 비용을 절감할 수 있으며, 동시에 동일한 실리콘 웨이퍼에서 더 많은 프로세서 다이를 제조할 수 있어 제품당 비용이 줄어듭니다.다이 축소는 삼성, 인텔, TSMC, SK hynix와 같은 반도체 회사 및 AMD(구 ATI), NVIDIA, MediaTek과 같은 팹리스 제조업체들에게 낮은 가격과 더 높은 성능을 제공하는 핵심적.. 2024. 11. 20.
하이브리드 본딩에서 유전체(dielectric) 부분의 bonding에 대한 이해 SiO₂ 유전체 본딩의 경우, 특히 DB 하이브리드 본딩 인터커넥션 방식에서는 본딩 인터페이스에서 흡수된 웨이퍼 분자에 유래한 산소 및 수소 원자 간의 수소 결합 네트워크를 통해 발생하는 반데르발스 힘에 의해 초기 부착이 이루어집니다. 다이-투-웨이퍼 부착 공정은 보통 100°C 이하의 낮은 온도, 종종 실온에서 진행됩니다. 이 메커니즘은 흡수된 수층을 이용해 SiO₂-SiO₂ 직접 본딩을 주로 제어하며, 물 분자들이 100°C 이하에서 클러스터를 형성하여 결합을 시작합니다. 이후 온도가 상승하면, 물 분자가 본딩 인터페이스를 통해 확산되며 SiO₂ 유전체 층의 표면에서 실라놀 그룹을 기반으로 수소 결합을 통해 부착력이 강화됩니다. 약 200°C에서 실록산과 같은 공유 결합이 형성될 수 있습니다. 온도를.. 2024. 11. 20.

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