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반도체13

SEMICON Japan 2024를 다녀온 후기 SEMICON Japan 2024는 세계 반도체 제조 공급망을 대표하는 행사 중 하나로, 2024년 12월 11일부터 13일까지 도쿄 빅사이트(Tokyo Big Sight)에서 열립니다. 이번 전시회는 전 세계 1,000개 이상의 참가 기업이 참여하며, 반도체 기술을 활용한 스마트 애플리케이션, 특히 자동차 및 사물인터넷(IoT)과 같은 첨단 분야에 중점을 둡니다. 올해 SEMICON Japan은 행사 규모를 확장해서 개최합니다. 저는 두번 째 날에 다녀왔습니다. 전시회에서는 차세대 칩 설계 및 검증 분야를 다룰 Advanced Design Innovation Summit (ADIS)를 포함한 다양한 세션이 열립니다. 또한, 지속 가능성을 주제로 하는 특별 세션과 AI, 양자 컴퓨팅, 전력 전자공학 관련.. 2024. 12. 12.
C4 범프와 C2 범프 비교 - 반도체 패키지 C4 범프 (Controlled Collapse Chip Connection)C4는 "Controlled Collapse Chip Connection"의 약어로, 용융된 솔더 범프가 중력과 표면 장력에 의해 제어된 붕괴(Controlled Collapse) 형태로 칩과 기판을 연결하는 방식을 기반으로 합니다. IBM이 처음 개발한 것으로, 기존의 와이어 본딩 방식보다 효율적인 칩-기판 연결 방법을 제공했습니다. "Controlled Collapse"는 범프가 녹으면서 제어된 형태로 연결되는 과정을 의미합니다. 주요 특징: 비교적 큰 범프 구조와 강한 기계적 안정성을 기반으로 하며, 칩과 PCB(Printed Circuit Board)나 패키지 기판 연결에 주로 사용됩니다.용도: 칩과 기판 간 연결에 주로.. 2024. 12. 7.
Chemical Amplification Resist (CAR)의 의미 Chemical Amplification Resist (CAR)는 포토리소그래피에서 사용되는 감광성 재료의 종류입니다. 작동 원리CAR의 작동은 빛에 의해 활성화되는 화학 반응을 증폭시켜 작은 빛의 노출량으로도 강한 패턴 형성을 가능하게 하는 데 기반합니다. 이 과정은 두 가지 주요 구성 요소를 포함합니다:감광 물질 (Photo Acid Generator, PAG): 빛을 흡수하여 산(Acid)을 생성하는 물질입니다.폴리머 (Polymer): PAG에 의해 생성된 산이 작용하여 용해도가 변하는 물질로, 노광 후 현상 단계에서 노광된 영역과 노광되지 않은 영역이 구분됩니다.화학적 증폭 메커니즘이 메커니즘은 노광 단계에서 발생한 작은 화학적 변화가 후속 공정에서 큰 효과를 내도록 설계되어 있습니다. 화학적 .. 2024. 11. 29.
Cu Dishing이란? Cu Dishing는 반도체 제조 공정 중 구리(Cu) 배선 형성 과정에서 발생할 수 있는 현상으로, 화학 기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 과정에서 구리 배선이 과도하게 연마되어 움푹 패이는 문제를 말합니다. 이 현상은 특히 낮은 평탄화 정도와 배선 구조에 영향을 미쳐 전기적 성능 저하와 신뢰성 문제를 유발할 수 있습니다. Cu Dishing의 주요 개념발생 원인:구리가 유전체보다 연마 저항이 낮아 과도하게 제거될 수 있습니다.CMP 공정 중 구리와 유전체(절연 물질)의 연마 속도 차이에서 비롯됩니다. 특징:연마 패드와 슬러리의 조합, 압력, 및 연마 시간에 의해 영향을 받음.주로 구리 배선이 넓은 패턴(large feature size)이나 밀집된 구조에서 .. 2024. 11. 28.
삼성전자의 주요 DRAM 제품군의 종류 및 특징 삼성전자의 주요 DRAM 제품군의 종류 및 특징은 다음과 같습니다. 1. DDR DRAM (Double Data Rate DRAM)주요 특징:DDR4: 현재 광범위하게 사용되며, 고성능 서버와 데이터 센터를 위한 효율적이고 안정적인 메모리 솔루션을 제공합니다.DDR5: 차세대 데이터 센터와 AI 워크로드를 위해 설계되었습니다.특징: 최대 1TB 모듈 지원, 최대 32Gb 용량의 칩 제공.장점: 전력 효율성 증가, 대역폭 및 데이터 전송 속도 개선.요구 사항:데이터 센터의 높은 처리량과 낮은 전력 소비.대규모 병렬 처리를 지원하는 고용량 모듈. 2. 모바일 DRAM (LPDDR: Low-Power DDR)주요 특징:LPDDR4X: 저전력 설계로 스마트폰, 태블릿과 같은 기기에 사용.LPDDR5 / LPDD.. 2024. 11. 28.
포토 리소그래피 세대별 비교 요약 포토 리소그래피는 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 위에 초미세 패턴을 형성하는 핵심 기술입니다. 기술의 발전은 반도체 소자의 집적도와 성능을 지속적으로 향상시켜 왔습니다. 아래는 포토 리소그래피의 세대별 비교와 주요 특징입니다.1. DUV (Deep Ultraviolet) 리소그래피개요: 딥 자외선(DUV, Deep Ultraviolet)은 자외선(UV) 중에서도 100~300 nm 파장 범위에 속하는 빛을 말합니다. 이는 가시광선(400~700 nm)보다 짧은 파장을 가지며, 높은 에너지를 특징으로 합니다.반도체 제조에서 DUV는 웨이퍼에 패턴을 형성하는 데 사용되는 핵심 기술입니다.193 nm ArF(불화아르곤) 레이저: 첨단 공정에 사용되며, 침지 리소그래피와 같은 기술로 20 nm 이하의 미세 공정을.. 2024. 11. 27.
AI 칩 시장의 경쟁: 빅테크 기업들의 대응 방식 엔비디아(NVIDIA)가 인공지능(AI) 칩 시장을 독점하며 글로벌 시장의 중심에 서 있는 가운데, 주요 클라우드 서비스 업체들이 자체 AI 칩 개발로 엔비디아 의존도를 낮추려는 움직임을 보이고 있습니다. 아마존(AWS), 구글, 마이크로소프트(MS) 등은 AI 칩 기술력을 강화해 엔비디아와 경쟁할 새로운 국면을 맞이하려 하고 있지만, 여전히 엔비디아의 독주를 따라잡기는 어려운 상황입니다.1. 엔비디아의 독주엔비디아는 AI 칩 시장에서 점유율 90% 이상을 차지하며 업계를 선도하고 있습니다. 특히 AI 모델 학습 및 추론 작업에서 엔비디아의 GPU는 업계 표준으로 자리 잡았습니다. 기업들은 엔비디아의 최첨단 칩(예: 호퍼 및 신제품 블랙웰)을 도입해 대규모 서버 클러스터를 구축하며, AI 모델의 크기와 .. 2024. 11. 26.
반도체 발열 문제 개선을 위한 기술 반도체의 발열 문제는 성능을 향상시키면서 발생하는 중요한 과제입니다. 발열을 관리하기 위한 여러 기술들이 연구되고 있으며, 그 중에서 몇 가지 주요 기술들을 소개합니다. 1. 게이트 올 어라운드(GAA) 기술개념: GAA는 트랜지스터의 전류 흐름을 기존의 세 면이 아닌 네 면에서 제어하는 기술로, 전력 효율을 높이고 전류 누설을 줄여 발열을 감소시키는 기술입니다. 삼성전자가 이 기술을 적용한 반도체를 개발하고 있으며, GAA는 미세공정에서 중요한 기술로 주목받고 있습니다.효과: 전력 소모를 줄여 발열을 낮추고, 고성능 반도체에서 발열 문제를 해결하는 데 기여합니다. 2. 그래핀 (Graphene)개념: 그래핀은 탄소 원자가 육각형 벌집 모양의 2차원 평면을 이루는 신소재로, 매우 높은 열 전도성을 지니고.. 2024. 11. 26.
NAND 메모리 경쟁력의 핵심: 적층 단수(층수) 증가와 기술 혁신 NAND 플래시 메모리는 데이터 저장 기술의 중심에 있으며, 스마트폰, 데이터 센터, 자동차, IoT 등 다양한 응용 분야에서 필수적입니다. 이 시장에서 경쟁력을 확보하려면 제조 공정과 메모리 구조에서 지속적인 발전이 필요하며, 특히 적층 단수(층수)의 증가는 NAND 메모리의 경쟁력에 핵심적인 역할을 합니다. 아래는 NAND 메모리 경쟁력의 주요 포인트를 정리한 내용입니다.1. 단수 증가: 용량과 비용 효율성의 핵심NAND 플래시 메모리는 셀 층을 DRAM과 달리 캐퍼시터가 필요없기 때문에 수직으로 쌓는 3D 구조로 진화했습니다. 더 많은 층을 쌓으면 동일한 면적에서 더 높은 용량을 구현할 수 있어, 다음과 같은 장점이 있습니다:높은 용량: 단수가 증가하면 칩 하나의 데이터 저장 용량이 커집니다. 예를.. 2024. 11. 25.

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