HBM2 삼성전자와 SK하이닉스의 HBM 적층 방식 비교 1. 적층 방식 및 공정 기술SK하이닉스: 기존 공정 고도화 (MR-MUF)기술적 접근: SK하이닉스는 HBM3E와 향후 HBM4, HBM5 제품까지 (Mass reflow-molded underfill, MR-MUF) 공정을 유지할 계획입니다. 이 공정은 여러 개의 반도체 칩을 대형 오븐과 같은 장비에서 한 번에 납땜한 후, 칩 사이 공간에 액체 보호재를 주입하여 굳히는 방식입니다.장점: MR-MUF 공정은 단수(적층 수)가 증가해도 수율의 급격한 하락을 방지하는 장점이 있으며, SK하이닉스는 이미 16단 HBM3E 제품에서 12단과 비슷한 수준의 수율을 확보했다고 밝혔습니다. 이는 고도화된 공정을 통해 성숙된 기술적 기반과 높은 생산성을 유지할 수 있다는 의미입니다.전략: SK하이닉스는 현재 개발 중.. 2024. 11. 12. HBM 메모리의 장단점: 고성능과 한계 HBM(High Bandwidth Memory)은 기존 GDDR 메모리와 비교해 매우 높은 성능을 제공하는 차세대 메모리로, 고성능 컴퓨팅과 AI 등의 분야에서 주목받고 있습니다. HBM은 고속 데이터 처리가 필수적인 작업에서 뛰어난 성능을 발휘하는 만큼, 여러 장점이 있습니다. 하지만 그만큼 구현 난이도와 비용, 내구성 측면에서 제한이 있어 대중적인 GDDR 메모리와는 차별화된 시장을 형성하고 있습니다. HBM의 장점과 단점을 정리해 보겠습니다. 1. HBM의 장점1) 짧은 레이턴시와 높은 메모리 대역폭HBM의 가장 큰 장점은 짧은 통신 거리로 인해 대역폭과 레이턴시에서 탁월한 성능을 제공한다는 점입니다. HBM은 1,024개의 채널을 통해 GPU와 통신하는데, 이 과정에서 통신 거리가 짧아 신호 간섭.. 2024. 11. 5. 이전 1 다음
